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MMBT6520LT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 1500+ | 0,0665 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT6520LT1G
Bestellnummer2464078RL
ProduktpaletteMMBTxxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.350V
Dauerkollektorstrom500mA
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz200MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMMBTxxxx
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
500mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
350V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
200MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung