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500+ | 0,036 € |
1500+ | 0,0302 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT5550LT1G
Bestellnummer1653626
ProduktpaletteMMBTxxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.140V
Dauerkollektorstrom600mA
Verlustleistung225mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.250hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMMBTxxxx
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT5550LT1G ist ein NPN-Hochspannungs-Bipolartransistor für universelle Schaltanwendungen. Das Gehäuse ist für energiesparende SMD-Anwendungen ausgelegt.
- Platzeinsparung auf der Leiterplatte
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
250hFE
Produktpalette
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
140V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung