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500+ | 0,0317 € |
1500+ | 0,0268 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT4403LT1G
Bestellnummer1653705
ProduktpaletteMMBTxxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom600mA
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz200MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMMBTxxxx
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT4403LT1G ist in -40V-PNP-Silizium-Bipolartransistor für den Einsatz in linearen Anwendungen und Schaltanwendungen. Der Baustein eignet sich für energiesparende SMD-Anwendungen.
- Halogen-/BFR-frei
- Kollektor-Basis-Spannung (VCBO): -40V DC
- Emitter-Basis-Spannung (VEBO): -5V DC
- Spitzen-Kollektorstrom: -900mA DC
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 556°C/W
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
200MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für MMBT4403LT1G
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung