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MMBT2222ALT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 9000+ | 0,0172 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT2222ALT1G
Bestellnummer2336860
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauer-Kollektorstrom600mA
Verlustleistung225mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.35hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT2222ALT1G ist ein bipolarer NPN-Siliziumtransistor, der für lineare, energiesparende SMD- und Schaltanwendungen ausgelegt ist.
- Halogen-/BFR-frei
- AEC-Q101-konform und PPAP-fähig
Anwendungen
Signalverarbeitung, Industrie, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
35hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBT2222ALT1G
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung