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MMBFJ310LT1G
JFET-Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,223 € |
| 50+ | 0,135 € |
| 100+ | 0,112 € |
| 500+ | 0,106 € |
| 1500+ | 0,101 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ310LT1G
Bestellnummer1431340
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.60mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-6.5V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MMBFJ310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-25V
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-6.5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
60mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBFJ310LT1G
2 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung