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MMBFJ201
JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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| 1500+ | 0,132 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ201
Bestellnummer2295758RL
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-40V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.1mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-1.5V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBFJ201 ist ein n-Kanal-JFET (Junction Field Effect Transistor) für 40V, der hauptsächlich für Low-Level-Audio-Anwendungen und allgemeine Anwendungen mit hochimpedanten Signalquellen bestimmt ist. Dieses Produkt ist universell verwendbar und eignet sich für viele verschiedene Anwendungen.
- Drain-Gate-Spannung (VDG): 40V
- Gate-Durchlassstrom: 50mA
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 357°C/W
Anwendungen
Audio, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-40V
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-1.5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
-
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
1mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung