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MMBFJ111
JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,147 € |
| 1500+ | 0,129 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ111
Bestellnummer2453374RL
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-35V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.-
Gate-Source-Sperrspannung, max.-10V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBFJ111 ist ein n-Kanal-JFET-Switch, der ausgelegt ist zum Schalten von schwachen Analogsignalen sowie für Sample-and-Hold-Schaltungen und chopper-stabilisierte Verstärker.
- Source und Drain sind austauschbar
- Drain/Gate-Spannung: 35V
- Gate/Source-Spannung: -35V
- Gate-Durchlassstrom: 50mA
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-35V
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-10V
Anzahl der Pins
3 Pins
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
-
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000018
Produktnachverfolgung