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MMBF4393LT1G
JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,311 € |
| 50+ | 0,185 € |
| 100+ | 0,133 € |
| 500+ | 0,118 € |
| 1500+ | 0,105 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBF4393LT1G
Bestellnummer1431332
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.30mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-3V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBF4393LT1G ist ein n-Kanal-JFET-Schalttransistor für analoge Schalt- und Chopper-Anwendungen.
- Drain-Source-Spannung: 30V DC
- Drain-Gate-Spannung: 30V DC
- Gate-Source-Spannung: 30V DC
- Gate-Durchlassstrom: 50mA
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
30V
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-3V
Anzahl der Pins
3 Pins
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
30mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung