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MJE253G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,050 € |
| 10+ | 0,566 € |
| 100+ | 0,416 € |
| 500+ | 0,312 € |
| 1000+ | 0,277 € |
| 5000+ | 0,266 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJE253G
Bestellnummer1459091
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom4A
Verlustleistung15W
Bauform - TransistorTO-225
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz40MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJE253G is a -100V Silicon PNP Complementary Plastic Power Transistor designed for low power audio amplifier as well as low current and high speed switching applications.
- High collector-emitter sustaining voltage
- High DC current gain
- Low collector emitter saturation voltage
- High current gain bandwidth
- Annular construction for low leakages
Anwendungen
Audio, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
4A
Bauform - Transistor
TO-225
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
15W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
40MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000726
Produktnachverfolgung