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100+ | 0,778 € |
500+ | 0,620 € |
1000+ | 0,524 € |
5000+ | 0,487 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJE13007G
Bestellnummer9557857
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.400V
Dauerkollektorstrom8A
Verlustleistung80W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz14MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.4hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJE13007G is a Silicon NPN Bipolar Power Transistor designed for high voltage and high speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits.
- SOA and switching applications
- Collector-base voltage (Vcbo = 700V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 9V)
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
4hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
400V
Verlustleistung
80W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
14MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002041
Produktnachverfolgung