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MJD200T4G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 2500+ | 0,174 € |
| 7500+ | 0,171 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD200T4G
Bestellnummer2441274
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.25V
Dauerkollektorstrom5A
Verlustleistung12.5W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz65MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
5A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
25V
Verlustleistung
12.5W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
65MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung