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MC33152DR2G
MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,768 € |
| 250+ | 0,666 € |
| 500+ | 0,604 € |
| 1000+ | 0,495 € |
| 2500+ | 0,464 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMC33152DR2G
Bestellnummer2534252RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-Treiber-
TreiberkonfigurationLow-Side
LeistungsschalterMOSFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangNicht invertierend
Quellstrom1.5A
Sinkstrom1.5A
Versorgungsspannung, min.6.1V
Versorgungsspannung, max.18V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Eingabeverzögerung55ns
Ausgabeverzögerung40ns
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
Low-Side
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
1.5A
Versorgungsspannung, min.
6.1V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
55ns
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Treiber
-
Leistungsschalter
MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
Eingang
Nicht invertierend
Sinkstrom
1.5A
Versorgungsspannung, max.
18V
Betriebstemperatur, max.
85°C
Ausgabeverzögerung
40ns
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000076
Produktnachverfolgung