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MBT3946DW1T1G
Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMBT3946DW1T1G
Bestellnummer1459079RL
ProduktpaletteMJxxxx Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,0506 € |
| 1500+ | 0,039 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMBT3946DW1T1G
Bestellnummer1459079RL
ProduktpaletteMJxxxx Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätKomplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.40V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN200mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP200mA
Verlustleistung, NPN150mW
Verlustleistung, PNP150mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.250hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.250hFE
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN300MHz
Übergangsfrequenz, PNP250MHz
ProduktpaletteMJxxxx Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MBT3946DW1T1G is a NPN-PNP complementary Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
- 100 to 300 hFE
- ≤0.4V Low VCE(sat)
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Komplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
200mA
Verlustleistung, PNP
150mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
250hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
250MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
200mA
Verlustleistung, NPN
150mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
250hFE
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
300MHz
Produktpalette
MJxxxx Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MBT3946DW1T1G
1 Produkt(e) gefunden
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
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