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500+ | 0,154 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerJ112-D26Z
Bestellnummer2453926
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-35V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.-
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-5V
Bauform - TransistorTO-226AA
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
J112_D26Z ist ein n-Kanal-JFET-Switch, der ausgelegt ist zum Schalten von schwachen Analogsignalen sowie für Sample-and-Hold-Schaltungen und chopper-stabilisierte Verstärker.
- Drain-Gate-Spannung: 35V
- Gate/Source-Spannung: -35V
- Gate-Durchlassstrom: 50mA
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-35V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
5mA
Bauform - Transistor
TO-226AA
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
-
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
-
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Transistormontage
Durchsteckmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für J112-D26Z
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000201
Produktnachverfolgung