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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
5+ | 0,610 € |
10+ | 0,421 € |
100+ | 0,283 € |
500+ | 0,215 € |
1000+ | 0,190 € |
5000+ | 0,149 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerJ109-D26Z
Bestellnummer3368703
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.-
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.40mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.6V
Bauform - TransistorTO-92
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
40mA
Bauform - Transistor
TO-92
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
-
Gate-Source-Sperrspannung, max.
6V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Transistormontage
Durchsteckmontage
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004