HGT1S10N120BNST
IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 6,330 € |
| 100+ | 6,080 € |
| 500+ | 5,830 € |
| 1000+ | 5,580 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell HGT1S10N120BNST handelt es sich um einen n-Kanal-IGBT ohne Sperrschichtberührung (NPT), der sich hervorragend eignet für viele Hochspannungs-Schaltanwendungen mit mäßigen Betriebsfrequenzen, die niedrige Leitungsverluste erfordern, z. B. USV und Solarwechselrichter. Dieser Baustein ist Teil der MOS-Gate-IGBT-Familie für Hochspannungs-Schaltanwendungen. Er kombiniert die besten Funktionen von MOSFET und Bipolartransistoren. Dieser Baustein bietet die hohe Eingangsimpedanz eines MOSFETs und die niedrigen ON-State-Leitungsverluste eines Bipolartransistors.
- Kurzschlussfest
- Avalanche-fähig
- Geringe Versorgungsspannung: 2.45V bei IC = 10A
- Abfallzeit: 140ns bei TJ = 150°C
- Verlustleistung gesamt: 298W bei TC = 25°C
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
35A
2.45V
298W
1.2kV
TO-263AB
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
35A
2.45V
298W
1.2kV
3Pin(s)
Oberflächenmontage
-
Technische Dokumente (3)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat