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FQT7N10LTF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 250+ | 0,431 € |
| 1000+ | 0,311 € |
| 2000+ | 0,286 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQT7N10LTF
Bestellnummer2101412RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id1.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.35ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FQT7N10LTF handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der mithilfe der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie hergestellt wird. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu reduzieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energie zu gewährleisten. Der MOSFET eignet sich für Schaltnetzteile, Audioverstärker und Anwendungen mit variabler Schaltleistung.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
- Niedrige Crss, typ.: 10pF
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.7A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.35ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FQT7N10LTF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000124
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