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FQD18N20V2TM

Name: ONSEMI FQD18N20V2TM
Brand: ONSEMI
SKU: 1095052RL
Availability: InStock

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerFQD18N20V2TM

Bestellnummer1095052RL

Technisches Datenblatt

Data Sheet

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Produktspezifikationen

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerFQD18N20V2TM

Bestellnummer1095052RL

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Kanaltypn-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds200V

Dauer-Drainstrom Id15A

Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm

Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)

TransistormontageOberflächenmontage

Rds(on)-Prüfspannung10V

Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V

Verlustleistung2.5W

Anzahl der Pins3Pin(s)

Betriebstemperatur, max.150°C

Produktpalette-

Qualifikation-

SVHCLead (27-Jun-2024)

Produktbeschreibung

Beim Modell FQD18N20V2 handelt es sich um einen QFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der mithilfe der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie hergestellt wird. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu reduzieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energie zu gewährleisten. Der MOSFET eignet sich für Schaltnetzteile, die aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Lampenvorschaltgeräte.

100% Avalanche-getestet
Niedrige Gate-Ladung, typ.: 20nC
Niedrige Crss, typ.: 25pF

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id

15A

Bauform - Transistor

TO-252 (DPAK)

Rds(on)-Prüfspannung

10V

Verlustleistung

2.5W

Betriebstemperatur, max.

150°C

Qualifikation

Drain-Source-Spannung Vds

200V

Drain-Source-Durchgangswiderstand

0.14ohm

Transistormontage

Oberflächenmontage

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

Anzahl der Pins

3Pin(s)

Produktpalette

SVHC

Lead (27-Jun-2024)

Technische Dokumente (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Y-Ex

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:Lead (27-Jun-2024)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.000289

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