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FQD11P06TM
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,672 € |
| 500+ | 0,553 € |
| 1000+ | 0,504 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQD11P06TM
Bestellnummer2575362RL
ProduktpaletteQFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.185ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteQFET
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9.4A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.185ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
QFET
MSL
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001512
Produktnachverfolgung