FQB47P06TM-AM002
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,060 € |
| 250+ | 2,020 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FQB47P06TM_AM002 handelt es sich um einen QFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der mithilfe der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie hergestellt wird. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu reduzieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energie zu gewährleisten. Der MOSFET eignet sich für Schaltnetzteile, Audioverstärker und Anwendungen mit variabler Schaltleistung.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 84nC
- Niedrige Crss, typ.: 320pF
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
p-Kanal
47A
TO-263 (D2PAK)
10V
160W
175°C
-
60V
0.026ohm
Oberflächenmontage
4V
2Pin(s)
-
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat