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500+ | 2,310 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQA8N100C
Bestellnummer2453888
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Dauer-Drainstrom Id8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.2ohm
Bauform - TransistorTO-3PN
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung225W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FQA8N100C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (53nC)
- Low Crss (16pF)
- 100% avalanche tested
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8A
Bauform - Transistor
TO-3PN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
225W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.2ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006401
Produktnachverfolgung