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FOD817DSD
Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,236 € |
| 200+ | 0,183 € |
| 500+ | 0,179 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFOD817DSD
Bestellnummer2453206RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle1 Kanal
Bauform - OptokopplerDIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Durchlassstrom If, max.50mA
Isolationsspannung5kV
CTR, min.300%
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo70V
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FOD817DSD is a Phototransistor Output Optocoupler consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output. Applicable to Pb-free IR reflow soldering.
- 300 to 600% Current transfer ratio
- 5000Vrms High input-output isolation voltage
- Minimum BVCEO of 70V guaranteed
Anwendungen
Sensortechnik, Kommunikation & Netzwerke, Power-Management
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
1 Kanal
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Isolationsspannung
5kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
70V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Optokoppler
DIP, Oberflächenmontage
Durchlassstrom If, max.
50mA
CTR, min.
300%
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000342