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FMB3906
Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 40 V, 200 mA
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| 500+ | 0,176 € |
| 1500+ | 0,156 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFMB3906
Bestellnummer2929779RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolarität4fach-PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP200mA
Verlustleistung, NPN-
Verlustleistung, PNP700mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.60hFE
Bauform - TransistorSuperSOT
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN-
Übergangsfrequenz, PNP200MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
4fach-PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
200mA
Verlustleistung, PNP
700mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
60hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
200MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
-
Verlustleistung, NPN
-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
-
Bauform - Transistor
SuperSOT
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
Produktnachverfolgung