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FGB20N60SFD-F085
IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,200 € |
| 500+ | 1,740 € |
| 1000+ | 1,730 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGB20N60SFD-F085
Bestellnummer3368678RL
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom40A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.2V
Verlustleistung208W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
40A
Verlustleistung
208W
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.2V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004