FFSP1265A
SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,930 € |
| 10+ | 2,810 € |
| 100+ | 1,910 € |
| 500+ | 1,710 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Die Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden nutzen eine vollständig neue Technologie, die eine herausragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bieten. Siliziumkarbid-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistung. Damit stellen sie die nächste Generation von Halbleitern dar. Systemvorteile umfassen den höchsten Wirkungsgrad, eine höhere Betriebsfrequenz, eine höhere Leistungsdichte, reduzierte elektromagnetische Störungen (EMI) und eine reduzierte Systemgröße sowie geringere Systemkosten.
- Sperrschichttemperatur, max.: 175°C
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Avalanche-fähig: 200mJ
- Keine Reverse-Recovery/keine Forward-Recovery
- Einfache Parallelschaltung
- Hohe Stoßstromfestigkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient
Technische Spezifikationen
EliteSiC Series
650V
40nC
2 Pins
Durchsteckmontage
Lead (27-Jun-2024)
Einfach
12A
TO-220
175°C
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat