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100+ | 1,070 € |
500+ | 1,060 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDS8638
Bestellnummer2322613
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0033ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.9V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FDS8638 is a N-channel MOSFET produced using advance PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is suitable for synchronous rectifier and load switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 100% UIL tested
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0033ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.9V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDS8638
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.01
Produktnachverfolgung