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FDS86267P
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.255 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDS86267P
Bestellnummer2825189RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,910 € |
| 500+ | 0,626 € |
| 1000+ | 0,623 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDS86267P
Bestellnummer2825189RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.255ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.2A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.255ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001814
Produktnachverfolgung