Seite drucken
FDS2572
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
2.425 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,953 € |
| 500+ | 0,792 € |
| 1000+ | 0,729 € |
| 5000+ | 0,687 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
100,30 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDS2572
Bestellnummer9845186RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.047ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDS2572 handelt es sich um einen UltraFET® Trench-n-Kanal-MOSFET, der mit seinen Funktionen und Merkmalen einen unerreichten Wirkungsgrad in Leistungsumwandlungsanwendungen ermöglicht. Dieser MOSFET wurde optimiert für einen niedrigen RDS(ON) und einen niedrigen ESR sowie eine niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Er ist ideal für Hochfrequenz-DC/DC-Wandler und Halbbrücken/Vollbrücken-Topologien mit 48Vin sowie 24V-Forward- und Push-Pull-Topologien.
- Body-Diode mit niedriger QRR
- Maximaler Wirkungsgrad bei hohen Frequenzen
- UIS-fähig
Anwendungen
Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.9A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.047ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000225
Produktnachverfolgung