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FDN327N
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,153 € |
| 1500+ | 0,142 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDN327N
Bestellnummer1471048RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.07ohm
Bauform - TransistorSuperSOT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.700mV
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDN327N ist ein für 20V spezifizierter n-Kanal-MOSFET, der das Hochspannungs-PowerTrench®-Verfahren nutzt. Der Baustein wurde optimiert für Power-Management- und Lastschaltanwendungen.
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 4.5nC
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
SuperSOT
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.07ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
700mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDN327N
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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