Seite drucken
FDMC2523P
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
20 auf Lager
3.000 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,826 € |
| 500+ | 0,785 € |
| 1000+ | 0,766 € |
| 5000+ | 0,644 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
87,60 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDMC2523P
Bestellnummer1324795RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.5ohm
Bauform - TransistorPower 33
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.8V
Verlustleistung42W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FDMC2523P is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is well suited for low voltage applications such as audio amplifier and high efficiency switching DC-to-DC converters.
- Fast switching
- Improved dV/dt capability
- 6.2nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
Power 33
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
42W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.8V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000049
Produktnachverfolgung