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FDMA430NZ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,402 € |
| 1000+ | 0,356 € |
| 5000+ | 0,300 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDMA430NZ
Bestellnummer1611453RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.04ohm
Bauform - TransistorµFET
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.810mV
Verlustleistung900mW
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDMA430NZ ist ein einfacher n-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird, um den RDS(ON) bei VGS=2.5V auf dem speziellen MicroFET-Leiterrahmen zu optimieren. Dieser Baustein eignet sich für die Verwendung in Lithium-Ionen-Akkupacks.
- Halogenfrei
- ESD-Schutz, typ.: 2.5kV HBM
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5A
Bauform - Transistor
µFET
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
900mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.04ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
810mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung