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FDH055N15A
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDH055N15A
Bestellnummer2825158
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 6,740 € |
| 5+ | 6,710 € |
| 10+ | 6,680 € |
| 50+ | 3,910 € |
| 100+ | 3,780 € |
| 250+ | 3,650 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDH055N15A
Bestellnummer2825158
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id156A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0048ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung429W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Der FDH055N15A ist ein n-Kanal-POWERTRENCH®-MOSFET, der mit dem fortschrittlichen POWERTRENCH-Verfahren von Onsemi gefertigt wird, das darauf ausgelegt ist, den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig ein hervorragendes Schaltverhalten aufrecht zu erhalten. Typische Anwendungen umfassen: Synchrongleichrichtung für ATX-/Sever-/Telekommunikationsstromversorgungen, Batterieschutzschaltungen, Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Mikro-Solarwechselrichter.
- Hohe Schaltgeschwindigkeit, niedrige Gate-Ladung, hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen Einschaltwiderstand
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: typ. 4.8 mOhm (VGS = 10V, ID = 120A, TC = 25°C)
- Drain-Source-Durchbruchspannung: min. 150V (ID = 250µA; VGS = 0V; TC = 25°C)
- Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung: typ. 0.1V/°C (ID = 250µA, bezogen auf 25°C)
- Gate-Schwellenspannungsbereich: 2.0V bis 4.0V (VGS = VDS, ID = 250µA, 25°C)
- Eingangskapazität: typ. 7100pF (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Ausgangskapazität: typ. 664pF (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Verlustleistung: 429W (25°C)
- TO-247-3LD-Gehäuse; Betriebstemperaturbereich: -55°C bis + 175°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
156A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
429W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0048ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006867
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