Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
4.304 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,471 € |
500+ | 0,414 € |
1000+ | 0,368 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
52,10 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD8880
Bestellnummer2453402RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.009ohm
Bauform - TransistorTO-252AA
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung55W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDD8880 handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET, der mithilfe des proprietären PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Dieser MOSFET wurde speziell entwickelt, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern entweder durch synchrone oder herkömmliche PWM-Schaltregler zu verbessern. Er wurde optimiert für eine niedrige Gate-Ladung, einen niedrigen RDS(ON) und eine hohe Schaltfrequenz.
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Niedrige Gate-Ladung
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
58A
Bauform - Transistor
TO-252AA
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
55W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.009ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00068
Produktnachverfolgung