Seite drucken
FDC655BN
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 18 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,152 € |
| 9000+ | 0,128 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
456,00 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDC655BN
Bestellnummer2251958
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.021ohm
Bauform - TransistorSuperSOT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.9V
Verlustleistung1.6W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDC655BN ist ein einfacher n-Kanal-MOSFET (Logikebene), der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von Fairchild Semiconductor hergestellt wird. Dieses Verfahren wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung zu erreichen. Der Baustein eignet sich für Niederspannungs- und batteriebetriebene Anwendungen, die einen niedrigen Inline-Leistungsverlust und eine hohe Schaltfrequenz erfordern.
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedrige Gate-Ladung
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6.3A
Bauform - Transistor
SuperSOT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.021ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.9V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000044
Produktnachverfolgung