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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCPF067N65S3
Bestellnummer2565207
ProduktpaletteSuperFET III
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 6,490 € |
5+ | 6,010 € |
10+ | 5,530 € |
50+ | 3,400 € |
100+ | 3,330 € |
250+ | 3,260 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
6,49 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCPF067N65S3
Bestellnummer2565207
ProduktpaletteSuperFET III
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.059ohm
Bauform - TransistorTO-220F
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung46W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSuperFET III
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Die Produktreihe 650V SuperFET III von ON Semiconductor umfasst die leistungsstärksten Super Junction-MOSFETs, die speziell entwickelt wurden für höchste Leistungsdichte.
Anwendungen
Computer-Hardware
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
44A
Bauform - Transistor
TO-220F
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
46W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.059ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SuperFET III
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006048
Produktnachverfolgung