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FCP165N60E
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCP165N60E
Bestellnummer2565218
ProduktpaletteSuperFET II
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,900 € |
| 10+ | 2,300 € |
| 100+ | 1,860 € |
| 500+ | 1,830 € |
| 1000+ | 1,810 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
2,90 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCP165N60E
Bestellnummer2565218
ProduktpaletteSuperFET II
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.132ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung227W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSuperFET II
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
23A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
227W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.132ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SuperFET II
MSL
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung