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FCP125N60E
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCP125N60E
Bestellnummer2565217
ProduktpaletteSuperFET II
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 54 Woche(n)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 5,170 € |
| 10+ | 3,620 € |
| 100+ | 2,850 € |
| 500+ | 2,840 € |
| 1000+ | 2,830 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
5,17 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCP125N60E
Bestellnummer2565217
ProduktpaletteSuperFET II
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.102ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung278W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSuperFET II
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
29A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
278W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.102ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SuperFET II
MSL
-
Technische Dokumente (3)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung