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FCB20N60TM
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 12 Woche(n)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 5,590 € |
| 10+ | 3,970 € |
| 100+ | 2,760 € |
| 500+ | 2,690 € |
| 1000+ | 2,520 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
5,59 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCB20N60TM
Bestellnummer2083213
ProduktpaletteSuperFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.15ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung208W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSuperFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
20A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
208W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.15ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SuperFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FCB20N60TM
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143
Produktnachverfolgung