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FAN7842MX
IGBT, MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 650mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,789 € |
| 250+ | 0,684 € |
| 500+ | 0,619 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFAN7842MX
Bestellnummer2083879RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-TreiberIsoliert
TreiberkonfigurationHigh-Side und Low-Side
LeistungsschalterIGBT, MOSFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangNicht invertierend
Quellstrom350mA
Sinkstrom650mA
Versorgungsspannung, min.10V
Versorgungsspannung, max.20V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung170ns
Ausgabeverzögerung200ns
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
High-Side und Low-Side
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
350mA
Versorgungsspannung, min.
10V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
170ns
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Treiber
Isoliert
Leistungsschalter
IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
Eingang
Nicht invertierend
Sinkstrom
650mA
Versorgungsspannung, max.
20V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
200ns
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
Produktnachverfolgung