Seite drucken
DTC114EET1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
17.245 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,0418 € |
| 1500+ | 0,0302 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 500
Mehrere: 5
25,90 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerDTC114EET1G
Bestellnummer2101802RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R110kohm
Basis-Emitter-Widerstand R210kohm
Bauform - TransistorSOT-416
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung300mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.35hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
DTC114EET1G ist ein digitaler NPN-Transistor mit monolithischem Bias-Widerstandsnetzwerk, der einen einzelnen Baustein und dessen externes Widerstands-Bias-Netzwerk ersetzen kann. Dieser BRT umfasst einen einfachen Transistor mit einem monolithischen Bias-Netzwerk, das aus zwei Widerständen, einem Basiswiderstand (Reihe) und einem Basis-Emitter-Widerstand besteht. Da der BRT diese Bauelemente in einem einzigen Baustein vereint, sind sie nicht mehr separat erforderlich.
- Vereinfacht das Schaltungsdesign
- Weniger Platzverbrauch auf der Leiterplatte
- Reduziert die Anzahl an Bauelementen
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
10kohm
Bauform - Transistor
SOT-416
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
10kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
300mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
35hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für DTC114EET1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000005
Produktnachverfolgung