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DTA114EET1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 1000+ | 0,0271 € |
| 5000+ | 0,0228 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerDTA114EET1G
Bestellnummer2535582RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R110kohm
Basis-Emitter-Widerstand R210kohm
Bauform - TransistorSC-75
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung300mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.35hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
10kohm
Bauform - Transistor
SC-75
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
10kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
300mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
35hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für DTA114EET1G
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000032
Produktnachverfolgung