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BC847BTT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0239 € |
| 9000+ | 0,0181 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
71,70 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC847BTT1G
Bestellnummer2440795
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung200mW
Bauform - TransistorSC-75
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.450hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SC-75
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
450hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
200mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung