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BC847BPDW1T1G
Bipolarer HF-Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC847BPDW1T1G
Bestellnummer1653701RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN, PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Übergangsfrequenz100MHz
Verlustleistung380mW
Dauer-Kollektorstrom100mA
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BC847BPDW1T1G ist ein zweifacher NPN-PNP-Transistor für universelle Verstärkeranwendungen. Das Gehäuse ist für energiesparende SMD-Anwendungen ausgelegt.
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN, PNP
Übergangsfrequenz
100MHz
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
380mW
Bauform - Transistor
SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BC847BPDW1T1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung