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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC846BWT1G
Bestellnummer1653606RL
ProduktpaletteBCxxx
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.65V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung150mW
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBCxxx
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BC846BWT1G ist ein NPN-Bipolartransistor für universelle Verstärkeranwendungen. Das Gehäuse ist für energiesparende SMD-Anwendungen ausgelegt.
- AECQ101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
BCxxx
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
65V
Verlustleistung
150mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BC846BWT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000005
Produktnachverfolgung