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BC548BTA
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 35 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,253 € |
| 10+ | 0,158 € |
| 100+ | 0,0983 € |
| 500+ | 0,073 € |
| 1000+ | 0,0633 € |
| 5000+ | 0,0467 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC548BTA
Bestellnummer2985391
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.35V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Verlustleistung500mW
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BC548BTA handelt es sich um einen bipolaren, epitaxialen NPN-Siliziumtransistor, der sich für Schalt- und Verstärkungsanwendungen eignet.
- Ergänzung für BC558
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
TO-92
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
35V
Verlustleistung
500mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00024