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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBAT54LT1G
Bestellnummer1431113
ProduktpaletteBAT54
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationEinfach
Periodische Spitzensperrspannung30V
Durchschnittlicher Durchlassstrom200mA
Durchlassspannung, max.800mV
Durchlassstoßstrom600mA
Betriebstemperatur, max.125°C
Bauform - DiodeSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
Sperrverzögerungszeit5ns
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteBAT54
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BAT54LT1G handelt es sich um eine Schottky-Barrier-Diode für High-Speed-Schaltanwendungen, Schaltungsschutz und Spannungsbegrenzung. Durch die äußerst niedrige Durchlassspannung werden Leitungsverluste reduziert. Das Miniatur-SMD-Gehäuse eignet sich hervorragend für tragbare Anwendungen mit beengten Platzverhältnissen.
- Äußerst hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Durchlassspannung, typ.: 0.35V bei IF = 10mA DC
- AEC-qualifiziert und PPAP-fähig
- Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei
Anwendungen
Tragbare Geräte
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
200mA
Durchlassstoßstrom
600mA
Bauform - Diode
SOT-23
Sperrverzögerungszeit
5ns
Produktpalette
BAT54
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Periodische Spitzensperrspannung
30V
Durchlassspannung, max.
800mV
Betriebstemperatur, max.
125°C
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BAT54LT1G
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung