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AFGB40T65SQDN
IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,260 € |
| 500+ | 2,180 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerAFGB40T65SQDN
Bestellnummer2981065RL
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
DC-Kollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.6V
Verlustleistung238W
Verlustleistung Pd238W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo650V
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Verlustleistung
238W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
DC-Kollektorstrom
80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.6V
Verlustleistung Pd
238W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.15
Produktnachverfolgung