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2SK932-23-TB-E
JFET-Transistor, -15 V, 17 mA, -600 mV, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 50+ | 0,377 € |
| 100+ | 0,188 € |
| 500+ | 0,184 € |
| 1500+ | 0,158 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SK932-23-TB-E
Bestellnummer2774813
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-15V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.17mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.10mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-600mV
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-15V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
10mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
17mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-600mV
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00007
Produktnachverfolgung