Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
8.756 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
5+ | 0,633 € |
50+ | 0,488 € |
100+ | 0,326 € |
500+ | 0,250 € |
1500+ | 0,220 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
3,16 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SK2394-6-TB-E
Bestellnummer3368699
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.15V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.20mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.10mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.1.5V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
2SK2394-6-TB-E is a 15V, CP, N-channel JFET. Suitable for AM tuner RF amplifier and low noise amplifier.
- Large (yfs) (38mS typ forward transfer admittance) at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1KHz
- Small Ciss
- Small sized package
- Ultralow noise figure
- 15V drain-to-source voltage and -15V gate-to-drain voltage
- 10 to 20mA drain current at VDS = 5 V, VGS = 0 V
- 38mS typ forward transfer admittance at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1KHz
- 200mW allowable power dissipation
- 150°C junction temperature
- 10pF input capacitance at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1MHz
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
15V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
10mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
20mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung