2N7000-D26Z
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,408 € |
| 50+ | 0,269 € |
| 100+ | 0,203 € |
| 500+ | 0,154 € |
| 1000+ | 0,130 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
2N7000_D26Z ist ein 60V-n-Kanal-FET (Anreicherungstyp), der mithilfe der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt wird. Dadurch werden eine Minimierung des Durchgangswiderstands und eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung ermöglicht. Der FET kann in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400mA DC erfordern, und einen gepulsten Strom von bis zu 2A bereitstellen. Er eignet sich besonders für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen wie kleine Servomotorsteuerungen, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen. Dieses universell einsetzbare Produkt eignet sich für viele verschiedene Anwendungen.
- Design mit hoher Zelldichte für äußerst niedrigen Durchgangswiderstand (RDS(on))
- Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter
- Robust und zuverlässig
- Hohe Sättigungsstrombelastbarkeit
- Drain-Gate-Spannung (VDGR): 60V
- Dauer-Gate-Source-Spannung (VGSS): ± 20V
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 312.5°C/W
Technische Spezifikationen
n-Kanal
200mA
TO-92
10V
400mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
5ohm
Durchsteckmontage
2.1V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N7000-D26Z
5 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat